MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A1G8SA-075:E от Micron Technology и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,30 | $6,50 |
| Тип памяти | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Корпус | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Рабочая температура | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |