MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WM-BCWE 比較
詳細な並列比較: MT40A256M16GE-075E:B メーカー: Micron Technology および K4AAG165WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.95 | $54.65 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| データレート | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| パッケージ | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| インターフェース | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |