MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology et K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,95 | $54,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Interface | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |