MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-PBC 比較
詳細な並列比較: MT40A256M16GE-083E メーカー: Micron Technology および H5AN4G6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 生産終了仕様比較
| パラメータ | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.20 | $6.60 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| ハロゲンフリー | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 特長 | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |