MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16GE-083E 제조: Micron Technology 및 H5AN4G6NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 단종사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.20 | $6.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 특징 | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |