MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G085WC-BIWE 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology および K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16JY-07EAIT:B | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $6.29 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| データレート | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| インターフェース | Parallel | POD-12 |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14) | 78-FBGA |
| 動作温度範囲 | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |