MT40A512M16LY-075:E vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075:E メーカー: Micron Technology および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16LY-075:E | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.80 | $55.68 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| データレート | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CASレイテンシ | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |