MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16JY-083E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075:E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16JY-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16JY-083E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.80 $5.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) —
データレート 2666 MT/s 2400 MT/s (speed grade -083E)
Clock Frequency 1.33 GHz 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
CASレイテンシ 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (8 x 14 mm)
動作温度範囲 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gbit
メモリ構成 — 512M x 16
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
ハロゲンフリー — Compliant
Country of Origin — China

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