MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16AD-062E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology および MT40A512M16AD-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中
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MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16AD-062E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $9.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
データレート 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
CASレイテンシ 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
動作温度 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm)
インターフェース Parallel Parallel (POD)
データバス幅 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
特長 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — 512M x 16
Access Time (Row Cycle) — 19 ns
実装タイプ — Surface Mount
Automotive Qualification — AUT:E (automotive variant)
Speed Grade — -062E
電源電圧 — [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)]
Prefetch Architecture — 8n with bank groups
HS Code (USHTS) — 8542320071
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: reel quantity]

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