MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16AD-062E 비교
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Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $9.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.6 GHz |
| CAS 레이턴시 | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (POD) |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| 공급 전압 | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |