MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16LY-075 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology および MT40A512M16LY-075 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16LY-075
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $27.89
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) —
データレート 3200 MT/s DDR4-2666
Clock Frequency 1600 MHz —
CASレイテンシ 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
動作温度 0°C to +95°C —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
インターフェース Parallel —
データバス幅 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
特長 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS ステータス Compliant —
Density — 8 Gbit
メモリ構成 — 512M x 16
Clock Speed — 1.33 GHz
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
動作温度範囲 — 0°C to +95°C
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼