MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16LY-075 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology и MT40A512M16LY-075 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16LY-075
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,00 $27,89
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) —
Скорость передачи данных 3200 MT/s DDR4-2666
Clock Frequency 1600 MHz —
Задержка CAS 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Рабочая температура 0°C to +95°C —
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Интерфейс Parallel —
Разрядность шины данных 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Особенности Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Статус RoHS Compliant —
Density — 8 Gbit
Организация памяти — 512M x 16
Clock Speed — 1.33 GHz
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Диапазон рабочих температур — 0°C to +95°C
Тип монтажа — Surface Mount

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену