MT40A512M8RH-083E vs MT40A512M8RH-075E:B 比較

詳細な並列比較: MT40A512M8RH-083E メーカー: Micron Technology および MT40A512M8RH-075E:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-075E:B
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.30 $2.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
パッケージ 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
データレート — 2666 MT/s (DDR4-2666)
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
インターフェースタイプ — Parallel
基準電圧 — On-die internal adjustable VREFDQ generation
実装タイプ — Surface Mount
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

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