MT40A512M8RH-083E vs MT40A512M8RH-075E:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M8RH-083E par Micron Technology et MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-075E:B
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,30 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
Température de fonctionnement 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Boîtier 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
Débit de données — 2666 MT/s (DDR4-2666)
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Type d'interface — Parallel
Tension de référence — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Type de montage — Surface Mount
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

Fiches techniques et ressources

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