MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16LY-107:N メーカー: Micron Technology および K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $1.80 |
| メモリタイプ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データバス幅 | 16 bit | — |
| 最大クロック周波数 | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| パッケージ / ケース | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| 実装スタイル | Surface Mount | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| データレート | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| パッケージ | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 動作温度 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CASレイテンシ | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |