MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBJ 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16RE-125:D メーカー: Micron Technology および H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.19 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| データレート | 1600 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| CASレイテンシ | 11 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| パッケージ | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| 動作温度 | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |