MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBJ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology e H5TC4G63AFR-PBJ por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,19 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1600 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| Latência CAS | 11 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Encapsulamento | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |