MW7IC2240NBR1 vs MW7IC2220NBR1 比較

詳細な並列比較: MW7IC2240NBR1 メーカー: NXP Semiconductors および MW7IC2220NBR1 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MW7IC2220NBR1 MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MW7IC2240NBR1 MW7IC2220NBR1
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ RF Amplifiers RF Amplifiers
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $29.00 $21.50
Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz) 2000 MHz to 2200 MHz (usable), 2110-2170 MHz (W-CDMA band)
Modulation / RF Type W-CDMA (also TD-SCDMA, LTE) —
Output Power (Average) 4 W Avg. @ 2112.5 MHz, single-carrier W-CDMA —
Supply Voltage (VDD) 28 V (rated 24 V to 32 V operation) —
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) 90 mA 80 mA
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) 420 mA 300 mA
Minimum Gain 15 dB (typical 30 dB) —
Input VSWR 5:1 —
Output VSWR 5:1 —
Nominal Impedance 50 ohm (on-chip matched) —
P1dB (Output) 46 dBm (per distributor listing) —
Technology RF LDMOS (multi-stage integrated) RF LDMOS (Laterally Diffused MOSFET)
パッケージ TO-272 WB-16 (over-molded plastic, 16-lead) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (flange/over-molded)
Terminal Finish Matte Tin (Sn) —
Package Body Material Plastic / Epoxy —
Operating Mode 100% PAR tested for W-CDMA-like signals —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance] —
機能 — W-CDMA Wideband Integrated Power Amplifier
Operating Frequency (typical) — 2167.5 MHz
Average Output Power — 2 W (33 dBm)
Drain Supply Voltage (VDD) — 28 V (24 V to 32 V operating range)
Small-Signal Gain — 31 dB (typical at 2.17 GHz)
Package Type — TO-272WB-16 (over-molded plastic)
Input Matching — On-chip (50 ohm nominal)
Output Matching — On-chip (50 ohm nominal)
Characteristic Impedance — 50 ohm
Maximum Operating Temperature — 150 C
Modulation Support — W-CDMA, TD-SCDMA, LTE, multi-carrier
Test Signal — Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB
ACPR Measurement — 3.84 MHz channel bandwidth at +/-5 MHz offset

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