NT5AD512M16C4-JR vs MT40A512M16TB-062E:J 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JR メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16TB-062E:J メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16C4-JR | MT40A512M16TB-062E:J |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $73.75 | $8.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| メモリ構成 | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| データレート | 1.6 GHz (DDR4-3200) | — |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | 0°C to 95°C |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks each) |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |