NT6AN8T0SA vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 比較

詳細な並列比較: NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT6AN8T0SA MT40A512M16JY-07EAIT:B
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.88 $8.10
メモリタイプ LPDDR2 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 2Gb —
メモリ構成 64M x 32 512M x 16
電源電圧 1.2V —
I/O Voltage 1.2V —
データレート 1066 Mbps (533 MHz) 2666 MT/s
動作温度範囲 -30°C to +85°C -40°C to +105°C (AIT grade)
パッケージ FBGA 96-FBGA (8x14)
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Period 64ms at 85°C —
Burst Length 4 or 8 —
On-Die Termination Yes —
DLL Yes —
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
インターフェース — Parallel
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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