NT6AN8T0SA vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T0SA от Nanya Technology и MT40A512M16JY-07EAIT:B от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT6AN8T0SA MT40A512M16JY-07EAIT:B
Бренд Nanya Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,88 $8,10
Тип памяти LPDDR2 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 2Gb —
Организация памяти 64M x 32 512M x 16
Напряжение питания 1.2V —
I/O Voltage 1.2V —
Скорость передачи данных 1066 Mbps (533 MHz) 2666 MT/s
Диапазон рабочих температур -30°C to +85°C -40°C to +105°C (AIT grade)
Корпус FBGA 96-FBGA (8x14)
Тип монтажа Surface Mount —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Period 64ms at 85°C —
Burst Length 4 or 8 —
On-Die Termination Yes —
DLL Yes —
Размер памяти — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Интерфейс — Parallel
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену