NT6AN8T0SA vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T0SA par Nanya Technology et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T0SA | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,88 | $8,10 |
| Type de mémoire | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | — |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Débit de données | 1066 Mbps (533 MHz) | 2666 MT/s |
| Plage de température de fonctionnement | -30°C to +85°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Boîtier | FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Interface | — | Parallel |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |