NVMFS5C430NWF vs BSC014N04LSIATMA1 比較

詳細な並列比較: NVMFS5C430NWF メーカー: onsemi および BSC014N04LSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NVMFS5C430NWF BSC014N04LSIATMA1
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.39
トランジスタタイプ N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 185 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) Typical 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total QG] —
パッケージ DFN5 (5x6 mm) with Wettable Flanks PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
AEC-Q101 Qualified Yes —
PPAP Capable Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Pb-Free (Halogen status not in data) —
Footprint 5x6 mm Small Outline —
Technology Trench Power MOSFET OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
RoHS ステータス — Compliant
Tradename — OptiMOS

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