NVMFS5C430NWF vs BSC014N04LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NVMFS5C430NWF par onsemi et BSC014N04LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NVMFS5C430NWF BSC014N04LSIATMA1
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,39
Type de transistor N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 185 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) Typical 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total QG] —
Boîtier DFN5 (5x6 mm) with Wettable Flanks PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
AEC-Q101 Qualified Yes —
PPAP Capable Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Pb-Free (Halogen status not in data) —
Footprint 5x6 mm Small Outline —
Technology Trench Power MOSFET OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Statut RoHS — Compliant
Tradename — OptiMOS

Fiches techniques et ressources

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