PC28F640P30BF65B-TR vs PC28F640P30BF65B 比較

詳細な並列比較: PC28F640P30BF65B-TR メーカー: Micron Technology および PC28F640P30BF65B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR Nrnd

仕様比較

パラメータ PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 NRND NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $5.03
Density 64 Mbit (4M x 16) —
メモリタイプ Non-Volatile Flash (NOR) Non-Volatile FLASH - NOR (CFI)
Process Technology P30-65nm Axcell —
Boot Block Location Bottom —
Architecture 128 KB uniform blocks + 4 KB parameter blocks —
VCC (Core) Range 1.7 V to 2.0 V —
VCCQ (I/O) Range 1.7 V to 3.6 V —
インターフェース Parallel (asynchronous + synchronous burst) —
Synchronous Burst Frequency 52 MHz —
Asynchronous Access Time 65 ns (75 ns in some datasheet revisions) —
パッケージ 64-ball EasyBGA (10x13 mm) —
動作温度 -40 C to +85 C -40C to +85C
Block Erase Time (typ.) 0.4 s —
Word Program Time (typ.) 100 us —
Endurance (per block) 100,000 cycles —
Data Retention 20 years (typical) —
Compliance RoHS —
メモリサイズ — 64 Mbit
Memory Organization — 4M x 16
データバス幅 — 16 bit (x16)
インターフェースタイプ — Parallel
Access Time — 65 ns
Burst Read Clock Frequency — 52 MHz
Write Cycle Time - Word, Page — 65 ns
Sector Architecture — Bottom Boot (parameter/small boot blocks at low addresses)
Supply Voltage - VCC — 1.7 V to 2.0 V
Supply Voltage - VCCQ (I/O) — [DATA_NEEDED: VCCQ range per P30 datasheet, typically 1.7V-3.6V]
パッケージ / ケース — 64-EasyBGA (10x13 mm)
実装タイプ — Surface Mount
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: typical 100K cycles per sector per P30 datasheet]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: per latest Alliance/Micron PCN]
Lead-Free — [DATA_NEEDED]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: per EasyBGA JEDEC J-STD-020 rating]

データシート&リソース

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