PC28F640P30BF65B-TR vs PC28F640P30BF65B 비교

다음의 상세 나란히 비교: PC28F640P30BF65B-TR 제조: Micron Technology 및 PC28F640P30BF65B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR Nrnd

사양 비교

파라미터 PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 NRND NRND
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.55 $5.03
Density 64 Mbit (4M x 16) —
메모리 유형 Non-Volatile Flash (NOR) Non-Volatile FLASH - NOR (CFI)
Process Technology P30-65nm Axcell —
Boot Block Location Bottom —
Architecture 128 KB uniform blocks + 4 KB parameter blocks —
VCC (Core) Range 1.7 V to 2.0 V —
VCCQ (I/O) Range 1.7 V to 3.6 V —
인터페이스 Parallel (asynchronous + synchronous burst) —
Synchronous Burst Frequency 52 MHz —
Asynchronous Access Time 65 ns (75 ns in some datasheet revisions) —
패키지 64-ball EasyBGA (10x13 mm) —
동작 온도 -40 C to +85 C -40C to +85C
Block Erase Time (typ.) 0.4 s —
Word Program Time (typ.) 100 us —
Endurance (per block) 100,000 cycles —
Data Retention 20 years (typical) —
Compliance RoHS —
메모리 크기 — 64 Mbit
Memory Organization — 4M x 16
데이터 버스 폭 — 16 bit (x16)
인터페이스 유형 — Parallel
Access Time — 65 ns
Burst Read Clock Frequency — 52 MHz
Write Cycle Time - Word, Page — 65 ns
Sector Architecture — Bottom Boot (parameter/small boot blocks at low addresses)
Supply Voltage - VCC — 1.7 V to 2.0 V
Supply Voltage - VCCQ (I/O) — [DATA_NEEDED: VCCQ range per P30 datasheet, typically 1.7V-3.6V]
패키지 / 케이스 — 64-EasyBGA (10x13 mm)
실장 유형 — Surface Mount
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: typical 100K cycles per sector per P30 datasheet]
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: per latest Alliance/Micron PCN]
Lead-Free — [DATA_NEEDED]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: per EasyBGA JEDEC J-STD-020 rating]

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