SI1553DL-T1-E3 vs SI1563DH-T1-E3 比較

詳細な並列比較: SI1553DL-T1-E3 メーカー: Vishay Intertechnology および SI1563DH-T1-E3 メーカー: Vishay Intertechnology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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SI1553DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay

SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay

SI1553DL-T1-E3 ✓ 生産中
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SI1563DH-T1-E3 SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay

SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay

SI1563DH-T1-E3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ SI1553DL-T1-E3 SI1563DH-T1-E3
ブランド Vishay Intertechnology Vishay Intertechnology
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.29
Manufacturer Vishay Siliconix —
Configuration N-Channel + P-Channel (Complementary Pair) Complementary N/P-Channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V (N-channel and P-channel)
Gate-Source Voltage (VGS) ±8 V —
Continuous Drain Current N-Ch (ID) 660 mA —
Continuous Drain Current P-Ch (ID) 410 mA —
On-Resistance N-Ch (RDS(on)) 5 Ω typical @ VGS = 2.5 V —
On-Resistance P-Ch (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V typical —
Total Power Dissipation 270 mW —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
パッケージ SC-70-6 (SOT-363 / SC-88) SC-70-6 (SOT-363), 6 pins
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology TrenchFET TrenchFET (Vishay Gen III)
Halogen-Free Option Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS ステータス Compliant (RoHS Directive 2002/95/EC) Compliant
Lead (Pb) Content Lead-free (E3 suffix) —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 1.13 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 880 mA
Total Device Power Dissipation (PD) — 570 mW
Gate Threshold Type — Low-threshold (logic-level compatible)
Polarity — N-channel + P-channel (complementary pair)
Lead-Free — Yes (per Vishay ordering info)
ハロゲンフリー — Per ordering option Si1563DH-T1-GE3
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

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