SI1553DL-T1-E3 vs SI1563DH-T1-E3 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de SI1553DL-T1-E3 por Vishay Intertechnology e SI1563DH-T1-E3 por Vishay Intertechnology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Vishay Intertechnology
SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay
SI1553DL-T1-E3 ✓ AtivoVishay Intertechnology
SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay
SI1563DH-T1-E3 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | SI1553DL-T1-E3 | SI1563DH-T1-E3 |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Intertechnology | Vishay Intertechnology |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,22 | $0,29 |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | — |
| Configuration | N-Channel + P-Channel (Complementary Pair) | Complementary N/P-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V (N-channel and P-channel) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±8 V | — |
| Continuous Drain Current N-Ch (ID) | 660 mA | — |
| Continuous Drain Current P-Ch (ID) | 410 mA | — |
| On-Resistance N-Ch (RDS(on)) | 5 Ω typical @ VGS = 2.5 V | — |
| On-Resistance P-Ch (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 0.9 V typical | — |
| Total Power Dissipation | 270 mW | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulamento | SC-70-6 (SOT-363 / SC-88) | SC-70-6 (SOT-363), 6 pins |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | TrenchFET | TrenchFET (Vishay Gen III) |
| Halogen-Free Option | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| Status RoHS | Compliant (RoHS Directive 2002/95/EC) | Compliant |
| Lead (Pb) Content | Lead-free (E3 suffix) | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 1.13 A |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 880 mA |
| Total Device Power Dissipation (PD) | — | 570 mW |
| Gate Threshold Type | — | Low-threshold (logic-level compatible) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel (complementary pair) |
| Lead-Free | — | Yes (per Vishay ordering info) |
| Livre de halogênio | — | Per ordering option Si1563DH-T1-GE3 |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |