2EDN7533RXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 2EDN7533RXTMA1 제조: Infineon 및 2ED2103S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 2EDN7533RXTMA1 | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.55 | $0.94 |
| 기능 | Dual-channel low-side gate driver | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Channels | 2 | — |
| Input Polarity | Inverting | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 5 A | — |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | 0.5 ohm | — |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | 0.3 ohm | — |
| Propagation Delay (typ.) | 19 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Matching | 1.3 ns (typ.) | — |
| Rise/Fall Time | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) | — |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage VDD (recommended) | 4.5 V to 20 V | — |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | 25 V | — |
| Under-Voltage Lockout | Yes (per channel) | — |
| 동작 접합 온도 | -40 C to +150 C | — |
| 패키지 | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Technology | — | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| 동작 온도 범위 | — | -40C to +125C |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |