AS4C256M8D3LB-12BIN vs MT41K256M8DA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C256M8D3LB-12BIN 제조: Alliance Memory 및 MT41K256M8DA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M8DA-125 MT41K256M8DA-125 - 2Gb DDR3L SDRAM x8 800MHz | Micron

MT41K256M8DA-125 - 2Gb DDR3L SDRAM x8 800MHz | Micron

MT41K256M8DA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C256M8D3LB-12BIN MT41K256M8DA-125
브랜드 Alliance Memory Micron Technology
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.60 $2.85
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
메모리 크기 2Gbit (256M x 8) 2 Gbit
인터페이스 Parallel Parallel
Clock Frequency 800 MHz 400 MHz
Access Time 20 ns —
공급 전압 1.283V ~ 1.45V 1.35 V (1.5 V DDR3 compatible mode)
패키지 / 케이스 78-FBGA (8x10.5) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 0°C ~ +95°C (Tc) —
데이터 속도 1600 MT/s 800 MT/s
CAS 레이턴시 11 Programmable (CL=11 at -125 speed grade)
Burst Length 8 8 (BL8) or 4 (BC4), fixed via MRS or on-the-fly
Refresh 7.8 us at 85°C —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Yes —
메모리 구성 — 256M x 8
Access Time (CL=11) — 13.75 ns
Internal Banks — 8
특징 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling
Operating Temperature (standard) — 0C to +85C (commercial K suffix)
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
패키지 — 78-FBGA (8 mm x 10.5 mm)

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