BC817-40,215 vs BC817-40 비교

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Nexperia
BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BC817-40,215 BC817-40
브랜드 Nexperia Nexperia
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.05 $0.02
트랜지스터 유형 NPN Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
패키지 SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 45 V 45 V
컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) 50 V 50 V
이미터-베이스 전압 (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak collector current] [DATA_NEEDED: ICM value]
전력 손실 (Ptot) 250 mW —
전이 주파수 (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) —
동작 온도 범위 -65 C to +150 C (TJ) —
JEDEC Package Standard TO-236AB —
Pin Configuration Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Reflow Yes (260 C peak per J-STD-020) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
동작 접합 온도 — -65 C to +150 C
MSL 레벨 — 1
RoHS 상태 — Compliant
Complementary PNP Part — BC807-40

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