BSC010N04LSATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC010N04LSATMA1 제조: Infineon 및 ISC015N04NM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC010N04LSATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.52 $0.98
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 38 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.0 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Test Condition VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 2 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (Tc=25C) 139 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
패키지 PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 1 (per Infineon SuperSO8 family)
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
핀 수 — 8
RoHS 상태 — Compliant
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

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