BSC028N06NSTATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC028N06NSTATMA1 제조: Infineon 및 IPB081N06L3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC028N06NSTATMA1 IPB081N06L3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.40 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
MSL 레벨 1 1 (unlimited)
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C (junction)
핀 수 — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)

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