BSC030N03LSGATMA1 vs BSC0901NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC030N03LSGATMA1 제조: Infineon 및 BSC0901NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC030N03LSGATMA1 BSC0901NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
동작 접합 온도 -55C to +150C —
패키지 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 —
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
습도 민감도 레벨 (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

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