BSC077N12NS3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC077N12NS3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB107N20N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC077N12NS3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.71 | $1.18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 200 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | 88 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Technology | — | OptiMOS 3 trench MOSFET |