BSC0911NDATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0911NDATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N06S5L073ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0911NDATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.46 | $0.41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | Single N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| 패키지 | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C |
| 핀 수 | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |