BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSD214SNH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSP92PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSD214SNH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.27 $0.31
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
패키지 SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
트랜지스터 유형 — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
동작 온도 — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
핀 수 — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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