BSF134N10NJ3GXUMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSF134N10NJ3GXUMA1 제조: Infineon 및 BSF134N10NJ3GXUMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA2 BSF134N10NJ3GXUMA2 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET 40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA2 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET 40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V OptiMOS 100V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
패키지 MG-WDSON-2 (CanPAK M) MG-WDSON-2 (surface mount, CanPAK-like)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 100V (low RDS(on), fast switching)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 43 W
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Primary Applications — SMPS, motor control, solar, telecom/datacom DC-DC

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