BSF134N10NJ3GXUMA2 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSF134N10NJ3GXUMA2 제조: Infineon 및 BSF134N10NJ3GXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA2 BSF134N10NJ3GXUMA2 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET 40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA2 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET 40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSF134N10NJ3GXUMA2 BSF134N10NJ3GXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.54 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100V OptiMOS 100 V
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 43 W —
패키지 MG-WDSON-2 (surface mount, CanPAK-like) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 100V (low RDS(on), fast switching) Trench-gate OptiMOS planar
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Primary Applications SMPS, motor control, solar, telecom/datacom DC-DC —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Configuration — Single with built-in diode
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
동작 온도 범위 — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

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