BSL207SPH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL207SPH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSL207SPH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.33 $0.11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
패키지 TSOP-6 (PG-TSOP6-6) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
핀 수 6 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
트랜지스터 유형 — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C
패키지 / 케이스 — PG-SOT23 (SOT-23-3)
핀 수 — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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