BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSP125H6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSR315PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| 패키지 | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | ±20 V (max VGS) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| 핀 수 | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |