BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP125H6327XTSA1 por Infineon e BSR315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,38 | $0,22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | ±20 V (max VGS) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Contagem de pinos | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |