BSP295H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP295H6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS214NWH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP295H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.35 $0.15
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
패키지 PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
동작 온도 — -55C to +150C (junction)
Lead-Free — Yes

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