BSP772TXUMA1 vs BSP125H6433XTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP772TXUMA1 제조: Infineon 및 BSP125H6433XTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP772TXUMA1 BSP125H6433XTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.97 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Classic PROFET —
Switch Type General Purpose —
출력 수 1 —
Ratio - Input:Output 1:1 —
출력 구성 High Side —
출력 유형 N-Channel —
Continuous Load Current 2.6 A —
On-State Resistance (typ) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value] —
동작 공급 전압 5 V to 34 V (load supply) —
Input Voltage (IN pin) TTL/CMOS compatible logic —
Protection Features Over-current, Over-temperature, Over-voltage clamp, ESD, Short-circuit —
Fault Feedback Open-drain STATUS pin —
패키지 PG-DSO-8-6 (8-SOIC with exposed pad) PG-SOT223-4 (3+tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 3 (168 hours) —
동작 온도 -40C to +150C (junction) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
REACH Status REACH Unaffected —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 120 mA
Power Dissipation (PD) at TA — 1.8 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Plating — Pb-free
동작 온도 범위 — -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA on standard PCB]
Configuration — Single N-Channel MOSFET

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