BSP772TXUMA1 vs BSP89H6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP772TXUMA1 제조: Infineon 및 BSP89H6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSP772TXUMA1 BSP89H6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.97 $0.39
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Classic PROFET —
Switch Type General Purpose —
출력 수 1 —
Ratio - Input:Output 1:1 —
출력 구성 High Side —
출력 유형 N-Channel —
Continuous Load Current 2.6 A —
On-State Resistance (typ) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value] —
동작 공급 전압 5 V to 34 V (load supply) —
Input Voltage (IN pin) TTL/CMOS compatible logic —
Protection Features Over-current, Over-temperature, Over-voltage clamp, ESD, Short-circuit —
Fault Feedback Open-drain STATUS pin —
패키지 PG-DSO-8-6 (8-SOIC with exposed pad) PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 3 (168 hours) —
동작 온도 -40C to +150C (junction) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
REACH Status REACH Unaffected —
ECCN EAR99 —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET, enhancement mode
Technology — SIPMOS (planar power MOS)
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 240 V (VGS=0, ID=250 µA)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 0.35 A
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C — 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C (Tj)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) — 70 K/W (6 cm² PCB)
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) — 25 K/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (logic-level compatible)
dv/dt Rated — Yes
ESD Protection — Internal gate-source Zener
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per ordering code H6327)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청