BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS123NH6327XTSA1 제조: Infineon 및 2N7002H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS123NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.09 $0.08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
패키지 PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Industrial / Commercial Grade
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청