BSS127H6327XTSA2 vs BSD214SNH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSD214SNH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS127H6327XTSA2 BSD214SNH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.03 $0.27
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
패키지 SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant (lead-free) Compliant
할로겐 프리 Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청