BSS138NH6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS138NH6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS119NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS138NH6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.15 $0.12
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
패키지 PG-SOT-23 (3-pin) PG-SOT23 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
할로겐 프리 Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

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