BSS316NH6327XTSA1 vs IPT007N06NATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS316NH6327XTSA1 제조: Infineon 및 IPT007N06NATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS316NH6327XTSA1 IPT007N06NATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $2.84
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
동작 접합 온도 범위 -55 C to +150 C —
패키지 PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
MSL 레벨 MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C (TJ)
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

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