BSZ065N03LSATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ065N03LSATMA1 제조: Infineon 및 BSC030N03LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ065N03LSATMA1 | BSC030N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | — | 23 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | — | 2.2 V |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | — | 55 nC |
| Output Charge (Qoss) | — | 66 pF |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | — | 4.3 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 69 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% tested) |